2N7000G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Rds On Max Id Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

Vgsth Max Id

3V @ 1mA

Voltage Rated Dc

60V

Genişlik

4.19mm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Current Continuous Drain Id25

200mA Ta

Akım Değeri

200mA

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

200mA

Nominal Vgs

3 V

Yayın Yılı

2004

Turn Off Delay Time

10 ns

Feedback Capmax Crss

5 pF

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Ambalaj

Bulk

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Type

N-Channel

Terminal Sayısı

3

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Drain Currentmax Abs Id

0.2A

Yüzey Montaj

NO

Vgs Max

±20V

Turn On Delay Time

10 ns

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Power Dissipation

350mW

Number Of Elements

1

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Weight

4.535924g

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON