2N5460G

Teknik Özellikler

Montaj Tipi

Through Hole

Power Dissipation

200mW

Temel Parça No

2N5460

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Cutoff Vgs Off Id

750mV @ 1μA

Yayın Yılı

2001

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~135°C TJ

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pin Sayısı

3

Feedback Capmax Crss

2 pF

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 8 hours ago)

Ambalaj

Bulk

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Current Drain Idss Vds Vgs0

1mA @ 15V

Fet Type

P-Channel

Number Of Elements

1

Kurşunsuz Kodu

yes

Kurşunsuz

Lead Free

Input Capacitance Ciss Max Vds

7pF @ 15V

Power Max

350mW

Fet Technology

JUNCTION

Terminal Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

40V

Element Configuration

Single

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

HTS Kodu

8541.21.00.95

Voltage Rated Dc

-40V

Akım Değeri

10mA

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

JESD-609 Kodu

e1

Montaj

Through Hole

Max Power Dissipation

350mW

Operating Mode

DEPLETION MODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

3

Transistor Application

AMPLIFIER

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Qualification Status

Not Qualified