J113,126

Teknik Özellikler

Source Url Status Check Date

2013-06-14 00:00:00

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

1997

Voltage Cutoff Vgs Off Id

500mV @ 1μA

Qualification Status

Not Qualified

Fet Technology

JUNCTION

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Max

400mW

Number Of Elements

1

HTS Kodu

8541.21.00.95

Temel Parça No

J113

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Montaj Tipi

Through Hole

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Voltage Breakdown Vbrgss

40V

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

6pF @ 10V VGS

Resistance Rdson

100Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fet Type

N-Channel

Configuration

SINGLE

Yüzey Montaj

NO

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Drainsource On Resistancemax

100Ohm

Operating Mode

DEPLETION MODE

Current Drain Idss Vds Vgs0

2mA @ 15V

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Power Dissipationmax Abs

0.4W

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM