PSMN1R0-30YLC,115

Teknik Özellikler

Fet Type

N-Channel

Vgsth Max Id

1.95V @ 1mA

Direnç

1.15MOhm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn Off Delay Time

108 ns

Power Dissipation

137W

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Avalanche Energy Rating Eas

259 mJ

Additional Feature

HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fall Time Typ

60 ns

Pin Sayısı

4

Gate Charge Qg Max Vgs

103.5nC @ 10V

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Sayısı

4

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Rise Time

77ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Turn On Delay Time

44 ns

Power Dissipation Max

272W Tc

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±20V

Kılıf / Paket

SC-100, SOT-669

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Case Connection

DRAIN

Yüzey Montaj

YES

Current Continuous Drain Id25

100A Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G4