PSMN018-80YS,115

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

4

Power Dissipation

89W

Jedec95 Code

MO-235

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Vgsth Max Id

4V @ 1mA

Fet Type

N-Channel

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

45A

Yayın Yılı

2010

Rds On Max Id Vgs

18m Ω @ 5A, 10V

Max Dual Supply Voltage

80V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1640pF @ 40V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Current Continuous Drain Id25

45A Tc

Case Connection

DRAIN

Yüzey Montaj

YES

Drain To Source Breakdown Voltage

80V

Kılıf / Paket

SC-100, SOT-669

Power Dissipation Max

89W Tc

Number Of Elements

1

Vgs Max

±20V

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

4

Gate Charge Qg Max Vgs

26nC @ 10V

Terminal Formu

GULL WING

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

4

Parça Durumu

Active