PSMN015-60BS,118

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2012

Rds On Max Id Vgs

14.8m Ω @ 15A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

50A

Max Dual Supply Voltage

60V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1220pF @ 30V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Current Continuous Drain Id25

50A Tc

Yüzey Montaj

YES

Case Connection

DRAIN

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Turn On Delay Time

12 ns

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±20V

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

86W Tc

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Gate Charge Qg Max Vgs

20.9nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Rise Time

13ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Sayısı

2

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fall Time Typ

7 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Avalanche Energy Rating Eas

44 mJ

Power Dissipation

86W

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

SINGLE