PSMN012-80BS,118

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2012

Rds On Max Id Vgs

11m Ω @ 15A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Continuous Drain Current Id

74A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Input Capacitance Ciss Max Vds

2782pF @ 12V

Pulsed Drain Currentmax Idm

295A

Max Dual Supply Voltage

80V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Current Continuous Drain Id25

74A Tc

Yüzey Montaj

YES

Case Connection

DRAIN

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Drain To Source Breakdown Voltage

73V

Turn On Delay Time

19 ns

Vgs Max

±20V

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

148W Tc

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

43nC @ 10V

Terminal Formu

GULL WING

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

16ns

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

2

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fall Time Typ

6 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

148W

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

SINGLE