PHK31NQ03LT,518

Teknik Özellikler

Power Dissipation Max

6.9W Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2001

Vgs Max

±20V

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Power Dissipation

6.9W

Element Configuration

Single

Rds On Max Id Vgs

4.4m Ω @ 25A, 10V

Current Continuous Drain Id25

30.4A Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

2 (1 Year)

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

33nC @ 4.5V

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

NICKEL PALLADIUM GOLD

Continuous Drain Current Id

30.4A

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Dual Supply Voltage

30V

Vgsth Max Id

2.15V @ 1mA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

JESD-609 Kodu

e4

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

8

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Turn On Delay Time

37 ns

Seri

TrenchMOS™

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn Off Delay Time

54 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No