BUK7Y12-40EX

Teknik Özellikler

Fet Type

N-Channel

Yayın Yılı

2013

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

52A

Rds On Max Id Vgs

12m Ω @ 15A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1039pF @ 25V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Number Of Channels

1

Kılıf / Paket

SC-100, SOT-669

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

1

Contact Plating

Tin

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

JESD-609 Kodu

e3

Jedec95 Code

MO-235

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Current Continuous Drain Id25

52A Tc

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Turn Off Delay Time

10 ns

Rise Time

7ns

Pin Sayısı

4

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vgsth Max Id

4V @ 1mA

Parça Durumu

Active

Power Dissipation

65W

Element Configuration

Single

Turn On Delay Time

6 ns

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

Fall Time Typ

6 ns

Seri

TrenchMOS™

Terminal Sayısı

4

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Gate Charge Qg Max Vgs

15nC @ 10V

Case Connection

DRAIN

Kurşunsuz

Lead Free