BUK7Y12-100EX

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

SC-100, SOT-669

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Channels

1

Rds On Max Id Vgs

12m Ω @ 25A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Input Capacitance Ciss Max Vds

5067pF @ 25V

Continuous Drain Current Id

85A

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2013

Fet Type

N-Channel

Rise Time

18ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

4

Turn Off Delay Time

66 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Continuous Drain Id25

85A Tc

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Jedec95 Code

MO-235

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Gate Charge Qg Max Vgs

68nC @ 10V

Seri

TrenchMOS™

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Terminal Sayısı

4

Fall Time Typ

66 ns

Yüzey Montaj

YES

Terminal Formu

GULL WING

Turn On Delay Time

12 ns

Power Dissipation

238W

Parça Durumu

Active

Vgsth Max Id

4V @ 1mA

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE