BSS138BKW,115

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2011

Vgsth Max Id

1.6V @ 250μA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Ds Breakdown Voltagemin

60V

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Drain Currentmax Abs Id

0.32A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Power Dissipation Max

260mW Ta 830mW Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Continuous Drain Id25

320mA Ta

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Formu

GULL WING

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Rds On Max Id Vgs

1.6 Ω @ 320mA, 10V

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Gate Charge Qg Max Vgs

0.7nC @ 4.5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Input Capacitance Ciss Max Vds

56pF @ 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Seri

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™