BSP110,115

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Current Continuous Drain Id25

520mA Tc

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Direnç

10Ohm

Pin Sayısı

4

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Weight

4.535924g

Number Of Elements

1

Contact Plating

Tin

Fet Type

N-Channel

Genişlik

3.7mm

Yayın Yılı

1997

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

520mA

Input Capacitance Ciss Max Vds

40pF @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Threshold Voltage

2V

Rds On Max Id Vgs

10 Ω @ 150mA, 5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgs Max

±20V

Max Dual Supply Voltage

100V

Power Dissipation Max

6.25W Tc

Uzunluk

6.7mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz

Lead Free

Case Connection

DRAIN

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V

Yükseklik

1.7mm

ECCN Kodu

EAR99

Feedback Capmax Crss

6 pF