BSH114,215

Teknik Özellikler

Power Dissipation Max

360mW Ta 830mW Tc

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±20V

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Seri

TrenchMOS™

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Gate Charge Qg Max Vgs

4.6nC @ 10V

HTS Kodu

8541.29.00.75

Pin Sayısı

3

Input Capacitance Ciss Max Vds

138pF @ 25V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Yayın Yılı

1997

Rds On Max Id Vgs

500m Ω @ 500mA, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

850mA

Yüzey Montaj

YES

Current Continuous Drain Id25

500mA Ta

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

830mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

N-Channel

Vgsth Max Id

4V @ 1mA

Drainsource On Resistancemax

0.5Ohm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ds Breakdown Voltagemin

100V

Drain Currentmax Abs Id

0.85A

Pin Sayısı

3