BSH108,215

Teknik Özellikler

Drainsource On Resistancemax

0.14Ohm

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Dissipation

830mW

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Vgsth Max Id

2V @ 1mA

Fet Type

N-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

190pF @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

1.9A

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

120m Ω @ 1A, 10V

Yayın Yılı

1997

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Yüzey Montaj

YES

Current Continuous Drain Id25

1.9A Tc

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation Max

830mW Tc

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Seri

TrenchMOS™

Terminal Formu

GULL WING

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 10V

HTS Kodu

8541.29.00.75

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)