BSH105,215

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

570mV @ 1mA

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

417mW

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Pin Sayısı

3

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Ds Breakdown Voltagemin

20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drainsource On Resistancemax

0.25Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

HTS Kodu

8541.21.00.95

Gate Charge Qg Max Vgs

3.9nC @ 4.5V

Terminal Formu

GULL WING

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±8V

Power Dissipation Max

417mW Ta

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.8V 4.5V

Current Continuous Drain Id25

1.05A Ta

Yüzey Montaj

YES

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

1.05A

Yayın Yılı

1998

Rds On Max Id Vgs

200m Ω @ 600mA, 4.5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED