2N7002BK,215

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

350mA Ta

Vgsth Max Id

2.1V @ 250μA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Rds On Max Id Vgs

1.6 Ω @ 500mA, 10V

Yüzey Montaj

YES

Vgs Max

±20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation Max

370mW Ta

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2010

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Ds Breakdown Voltagemin

60V

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fet Type

N-Channel

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

HTS Kodu

8541.21.00.75

Terminal Formu

GULL WING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Input Capacitance Ciss Max Vds

50pF @ 10V

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Seri

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

0.6nC @ 4.5V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE