2N7002K-TP

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2008

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Power Dissipation Max

350mW Ta

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Drain Currentmax Abs Id

0.34A

Vgs Max

±20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Continuous Drain Id25

340mA Ta

Rds On Max Id Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Terminal Pozisyonu

DUAL

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Input Capacitance Ciss Max Vds

40pF @ 10V

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Type

N-Channel

Feedback Capmax Crss

10 pF

JESD-609 Kodu

e3

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Terminal Sayısı

3

Drainsource On Resistancemax

5Ohm