VP3203N3-G

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Genişlik

4.19mm

JESD-609 Kodu

e3

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Turn On Delay Time

10 ns

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Fall Time Typ

15 ns

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Bulk

Current Continuous Drain Id25

650mA Tj

Element Configuration

Single

Vgs Max

±20V

Rds On Max Id Vgs

600m Ω @ 3A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2013

Montaj Tipi

Through Hole

Power Dissipation Max

740mW Ta

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Continuous Drain Current Id

650mA

Number Of Channels

1

Power Dissipation

740mW

Input Capacitance Ciss Max Vds

300pF @ 25V

Rise Time

15ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

5.21mm

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Drainsource On Resistancemax

0.6Ohm

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Weight

453.59237mg

Feedback Capmax Crss

60 pF

Yükseklik

5.33mm