VP2450N8-G

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

190pF @ 25V

Power Dissipation

1.6W

Number Of Channels

1

Drain To Source Breakdown Voltage

-500V

Rise Time

25ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

4.6mm

Drain To Source Voltage Vdss

500V

Yükseklik

1.6mm

Kılıf / Paket

TO-243AA

Vgsth Max Id

3.5V @ 1mA

Turn Off Delay Time

45 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj

Surface Mount

Fet Type

P-Channel

Turn On Delay Time

10 ns

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

4

Genişlik

2.6mm

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Single

Pulsed Drain Currentmax Idm

0.8A

Yayın Yılı

2007

Continuous Drain Current Id

160mA

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Jesd30 Code

R-PSSO-F3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Weight

52.786812mg

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Formu

FLAT

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Radyasyon Dayanımı

No

Case Connection

DRAIN

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

3

Fall Time Typ

25 ns

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)