VP0550N3-G

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Turn Off Delay Time

10 ns

Genişlik

4.19mm

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT APPLICABLE

Power Dissipation

1W

Fall Time Typ

5 ns

Number Of Channels

1

Rds On Max Id Vgs

125 Ω @ 10mA, 10V

Vgs Max

±20V

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Pin Sayısı

3

Yükseklik

5.33mm

Montaj Tipi

Through Hole

Fet Type

P-Channel

Turn On Delay Time

10 ns

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

-54mA

Drain To Source Voltage Vdss

500V

Rise Time

8ns

Uzunluk

5.21mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

-500V

Drain Currentmax Abs Id

0.054A

Power Dissipation Max

1W Tc

Parça Durumu

Active

Contact Plating

Tin

Montaj

Through Hole

Terminal Sayısı

3

Weight

453.59237mg

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT APPLICABLE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yayın Yılı

2013

Vgsth Max Id

4.5V @ 1mA

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Current Continuous Drain Id25

54mA Tj