TN2510N8-G

Teknik Özellikler

Drainsource On Resistancemax

2Ohm

Drain Currentmax Abs Id

0.73A

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

10 ns

Montaj

Surface Mount

Input Capacitance Ciss Max Vds

125pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Fet Type

N-Channel

Continuous Drain Current Id

730mA

Uzunluk

4.6mm

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Fall Time Typ

10 ns

Contact Plating

Tin

Rise Time

10ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

1.5 Ω @ 750mA, 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

3V 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

5A

Vgs Max

±20V

Power Dissipation Max

1.6W Ta

Current Continuous Drain Id25

730mA Tj

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

2.6mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PSSO-F3

Pin Sayısı

4

Yayın Yılı

2008

Power Dissipation

1.6W

Case Connection

DRAIN

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260