TN0104N8-G

Teknik Özellikler

Drainsource On Resistancemax

2Ohm

Drain Currentmax Abs Id

0.63A

Turn On Delay Time

3 ns

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Input Capacitance Ciss Max Vds

70pF @ 20V

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Fet Type

N-Channel

Continuous Drain Current Id

630mA

Uzunluk

4.6mm

Fall Time Typ

7 ns

Contact Plating

Tin

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

2 Ω @ 1A, 10V

Rise Time

7ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

3V 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±20V

Power Dissipation Max

1.6W Tc

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

630mA Tj

Genişlik

2.6mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PSSO-F3

Pin Sayısı

4

Yayın Yılı

2013

Power Dissipation

1.6W

Case Connection

DRAIN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

1.6mm

Element Configuration

Single