LND250K1-G

Teknik Özellikler

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

Number Of Channels

1

Power Dissipation Max

360mW Ta

Fall Time Typ

450 ns

Continuous Drain Current Id

13mA

Genişlik

1.3mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Application

SWITCHING

Vgs Max

±20V

Yayın Yılı

2014

Terminal Pozisyonu

DUAL

Rise Time

450ns

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Parça Durumu

Active

Input Capacitance Ciss Max Vds

10pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

13mA Tj

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

100 ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn On Delay Time

90 ns

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fet Feature

Depletion Mode

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

0V

Power Dissipation

360mW

Rds On Max Id Vgs

1000 Ω @ 500μA, 0V

Montaj

Surface Mount

Qualification Status

Not Qualified

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Yükseklik

950μm

Pin Sayısı

3