DN3145N8-G

Teknik Özellikler

Genişlik

2.6mm

Power Dissipation Max

1.3W Ta

Uzunluk

4.6mm

Pin Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Yükseklik

1.6mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Feature

Depletion Mode

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Vgs Max

±20V

Terminal Formu

FLAT

Number Of Channels

1

Reach Svhc

No SVHC

Rise Time

15ns

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Turn On Delay Time

10 ns

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz

Lead Free

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Continuous Drain Id25

100mA Tj

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2008

Weight

52.786812mg

Turn Off Delay Time

20 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

450V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

15 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

1.3W

Rds On Max Id Vgs

60 Ω @ 100mA, 0V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

0V