IXFH40N30Q

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Drain To Source Breakdown Voltage

300V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Input Capacitance Ciss Max Vds

3100pF @ 25V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Power Dissipation Max

300W Tc

Voltage Rated Dc

300V

Pin Sayısı

3

Vgs Max

±20V

Pulsed Drain Currentmax Idm

160A

Parça Durumu

Obsolete

Element Configuration

Single

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Vgsth Max Id

4V @ 4mA

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2011

Montaj

Through Hole

Avalanche Energy Rating Eas

1000 mJ

Direnç

80MOhm

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz Kodu

yes

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Sayısı

3

Rise Time

35ns

Continuous Drain Current Id

40A

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Gate Charge Qg Max Vgs

140nC @ 10V

Number Of Elements

1

Fall Time Typ

12 ns

Rds On Max Id Vgs

80m Ω @ 500mA, 10V

Current Continuous Drain Id25

40A Tc

Akım Değeri

40A

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

300W

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)