SPP18P06PHXKSA1

Teknik Özellikler

Power Dissipation

81.1W

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Gate Charge Qg Max Vgs

28nC @ 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Fet Type

P-Channel

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Halogen Free

Halogen Free

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2006

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Input Capacitance Ciss Max Vds

860pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Pin Sayısı

3

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

12 ns

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tube

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Current Continuous Drain Id25

18.7A Ta

Pin Sayısı

3

Jedec95 Code

TO-220AB

Max Dual Supply Voltage

-60V

Power Dissipation Max

81.1W Ta

Seri

SIPMOS®

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Vgsth Max Id

4V @ 1mA

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Turn Off Delay Time

25 ns

Vgs Max

±20V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Pulsed Drain Currentmax Idm

74.8A

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Through Hole

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Rds On Max Id Vgs

130m Ω @ 13.2A, 10V