IRLZ44NSTRLPBF

Teknik Özellikler

Uzunluk

10.668mm

Vgs Max

±16V

Recovery Time

120 ns

Terminal Sayısı

2

Power Dissipation Max

3.8W Ta 110W Tc

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

16V

Gate Charge Qg Max Vgs

48nC @ 5V

Turn On Delay Time

11 ns

Seri

HEXFET®

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Genişlik

9.65mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Element Configuration

Single

Input Capacitance Ciss Max Vds

1700pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

47A Tc

Nominal Vgs

2 V

Rds On Max Id Vgs

22m Ω @ 25A, 10V

Continuous Drain Current Id

47A

Rise Time

84ns

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

55V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fall Time Typ

15 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Fet Type

N-Channel

Threshold Voltage

2V

Yayın Yılı

1997

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e3