
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parça Durumu
- Obsolete
- Power Dissipation
- 75W
- Rds On Max
- 5.8 mΩ
- Drain To Source Resistance
- 8mOhm
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Seri
- HEXFET®
- Vgsth Max Id
- 2.35V @ 50μA
- Genişlik
- 2.3876mm
- Yükseklik
- 6.22mm
- Element Configuration
- Single
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 4.5V 10V
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 2150pF @ 15V
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 30V
- Current Continuous Drain Id25
- 86A Tc
- Turn Off Delay Time
- 15 ns
- Nominal Vgs
- 1.8 V
- Rds On Max Id Vgs
- 5.8mOhm @ 25A, 10V
- Reach Svhc
- No SVHC
- Kılıf / Paket
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Pin Sayısı
- 3
- Gate To Source Voltage Vgs
- 20V
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 23nC @ 4.5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~175°C TJ
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- I-PAK
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fall Time Typ
- 16 ns
- Ambalaj
- Tube
- Uzunluk
- 6.7056mm
- Vgs Max
- ±20V
- Continuous Drain Current Id
- 86A
- Recovery Time
- 36 ns
- Power Dissipation Max
- 75W Tc
- Drain To Source Voltage Vdss
- 30V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 175°C
- Rise Time
- 49ns
- Threshold Voltage
- 1.8V
- Yayın Yılı
- 2008
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Stokta
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors

