IRLU7843PBF

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

19 ns

Ambalaj

Tube

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Voltage Rated Dc

30V

Rise Time

42ns

Radyasyon Dayanımı

No

Continuous Drain Current Id

161A

Montaj

Through Hole

JESD-609 Kodu

e3

Case Connection

DRAIN

Threshold Voltage

2.3V

Yayın Yılı

2008

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pulsed Drain Currentmax Idm

620A

Transistor Application

SWITCHING

Fet Type

N-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Akım Değeri

161A

Power Dissipation

140W

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

34 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Yükseklik

6.22mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Reach Svhc

No SVHC

Gate Charge Qg Max Vgs

50nC @ 4.5V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Power Dissipation Max

140W Tc

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

6.7056mm

Vgs Max

±20V

Turn On Delay Time

25 ns

Avalanche Energy Rating Eas

1440 mJ

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON