IRLU3915PBF

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

16V

Gate Charge Qg Max Vgs

92nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Vgs Max

±16V

Uzunluk

6.7056mm

Power Dissipation Max

120W Tc

Turn On Delay Time

7.4 ns

Avalanche Energy Rating Eas

200 mJ

Parça Durumu

Not For New Designs

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Seri

HEXFET®

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Genişlik

2.3876mm

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Input Capacitance Ciss Max Vds

1870pF @ 25V

Element Configuration

Single

Nominal Vgs

3 V

Rds On Max Id Vgs

14m Ω @ 30A, 10V

Current Continuous Drain Id25

30A Tc

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Montaj Tipi

Through Hole

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Rated Dc

55V

Ambalaj

Tube

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

100 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Continuous Drain Current Id

61A

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

51ns

Case Connection

DRAIN

Direnç

14mOhm

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pulsed Drain Currentmax Idm

240A

Threshold Voltage

3V

Yayın Yılı

2010