IRLR8503PBF

Teknik Özellikler

Seri

HEXFET®

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Dual Supply Voltage

30V

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation

62W

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Akım Değeri

44A

Rds On Max

16 mΩ

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Reach Svhc

No SVHC

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Input Capacitance Ciss Max Vds

1650pF @ 25V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Rds On Max Id Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Nominal Vgs

1 V

Kurşunsuz

Lead Free

Current Continuous Drain Id25

44A Tc

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Continuous Drain Current Id

44A

Vgs Max

±20V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Rise Time

18ns

Power Dissipation Max

62W Tc

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

20nC @ 5V

Voltage Rated Dc

30V

Pin Sayısı

3

Tedarikçi Cihaz Paketi

D-Pak

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tube

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Type

N-Channel

Input Capacitance

1.65nF

Direnç

16mOhm

Yayın Yılı

2004

Threshold Voltage

1V

Montaj

Surface Mount