IRLR8259TRPBF

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

8.9 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Drainsource On Resistancemax

0.0087Ohm

Rise Time

38ns

Radyasyon Dayanımı

No

Continuous Drain Current Id

57A

Montaj

Surface Mount

Case Connection

DRAIN

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yayın Yılı

2004

Drain Currentmax Abs Id

42A

Fet Type

N-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Power Dissipation

48W

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

9.1 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

25V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Yükseklik

2.3876mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 4.5V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Power Dissipation Max

48W Tc

Terminal Sayısı

2

Vgs Max

±20V

Uzunluk

6.7056mm

Turn On Delay Time

8.4 ns

Avalanche Energy Rating Eas

67 mJ

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Genişlik

6.22mm