IRLR8113PBF

Teknik Özellikler

Seri

HEXFET®

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

2.25V @ 250μA

Genişlik

6.22mm

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation

89W

Akım Değeri

94A

Drain To Source Resistance

7.4mOhm

Rds On Max

6 mΩ

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yükseklik

2.3876mm

Element Configuration

Single

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2920pF @ 15V

Kurşunsuz

Lead Free

Current Continuous Drain Id25

94A Tc

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Rds On Max Id Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Turn Off Delay Time

15 ns

Uzunluk

6.7056mm

Vgs Max

±20V

Recovery Time

49 ns

Continuous Drain Current Id

94A

Power Dissipation Max

89W Tc

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Rise Time

3.8ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

32nC @ 4.5V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Voltage Rated Dc

30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fall Time Typ

10 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tedarikçi Cihaz Paketi

D-Pak