IRLB3036GPBF

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

11210pF @ 50V

Continuous Drain Current Id

195A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Uzunluk

10.5156mm

Rds On Max Id Vgs

2.4mOhm @ 165A, 10V

Turn Off Delay Time

110 ns

Fet Type

N-Channel

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Fall Time Typ

110 ns

Genişlik

4.69mm

Gate To Source Voltage Vgs

16V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Drain To Source Resistance

2.8mOhm

Current Continuous Drain Id25

195A Tc

Gate Charge Qg Max Vgs

140nC @ 4.5V

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tube

Rds On Max

2.4 mΩ

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-220AB

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Radyasyon Dayanımı

No

Turn On Delay Time

66 ns

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2009

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation Max

380W Tc

Montaj

Through Hole

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Yükseklik

15.24mm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj Tipi

Through Hole

Vgs Max

±16V

Rise Time

220ns

Kılıf / Paket

TO-220-3

Power Dissipation

380W