IRL3502PBF

Teknik Özellikler

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-220AB

Radyasyon Dayanımı

No

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Element Configuration

Single

Gate Charge Qg Max Vgs

110nC @ 4.5V

Rds On Max

7 mΩ

Ambalaj

Tube

Drain To Source Resistance

8mOhm

Voltage Rated Dc

20V

Current Continuous Drain Id25

110A Tc

Fall Time Typ

130 ns

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 7V

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Fet Type

N-Channel

Turn Off Delay Time

96 ns

Rds On Max Id Vgs

7mOhm @ 64A, 7V

Input Capacitance Ciss Max Vds

4700pF @ 15V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Continuous Drain Current Id

110A

Input Capacitance

4.7nF

Power Dissipation

140W

Vgs Max

±10V

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

TO-220-3

Rise Time

140ns

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

3

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

700mV @ 250μA

Parça Durumu

Obsolete

Akım Değeri

110A

Montaj

Through Hole

Power Dissipation Max

140W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2003