
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2004
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Direnç
- 12MOhm
- Pulsed Drain Currentmax Idm
- 220A
- Vgsth Max Id
- 1V @ 250μA
- Jesd30 Code
- R-PSSO-G2
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yükseklik
- 4.826mm
- Number Of Elements
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Power Dissipation
- 110W
- Rise Time
- 120ns
- Case Connection
- DRAIN
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 1650pF @ 25V
- Genişlik
- 9.65mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 4.5V 10V
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~175°C TJ
- Gate To Source Voltage Vgs
- 16V
- Fall Time Typ
- 9.1 ns
- Fet Type
- N-Channel
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 33nC @ 4.5V
- Element Configuration
- Single
- Current Continuous Drain Id25
- 64A Tc
- Voltage Rated Dc
- 30V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Seri
- HEXFET®
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Turn On Delay Time
- 8.9 ns
- Akım Değeri
- 64A
- Montaj
- Surface Mount
- Power Dissipation Max
- 94W Tc
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Contact Plating
- Tin
- Pin Sayısı
- 3
- Additional Feature
- AVALANCHE RATED
- Kılıf / Paket
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Stokta
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors

