Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation
- 230W
- Rise Time
- 180ns
- Kılıf / Paket
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Vgs Max
- ±16V
- Yükseklik
- 9.65mm
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Pin Sayısı
- 3
- Vgsth Max Id
- 2.7V @ 250μA
- Montaj
- Through Hole
- Power Dissipation Max
- 230W Tc
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Seri
- HEXFET®
- Yayın Yılı
- 2012
- Turn On Delay Time
- 19 ns
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Ambalaj
- Tube
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 110nC @ 5V
- Current Continuous Drain Id25
- 120A Tc
- Gate To Source Voltage Vgs
- 16V
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 4.5V 10V
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~175°C TJ
- Genişlik
- 4.826mm
- Fall Time Typ
- 49 ns
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 40V
- Fet Type
- N-Channel
- Rds On Max Id Vgs
- 3.1m Ω @ 75A, 10V
- Turn Off Delay Time
- 30 ns
- Uzunluk
- 10.668mm
- Continuous Drain Current Id
- 75A
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 5080pF @ 25V
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors