IRFZ44ESTRLPBF

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yükseklik

4.826mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

110W

Additional Feature

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

Voltage Rated Dc

60V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Threshold Voltage

4V

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Formu

GULL WING

Akım Değeri

48A

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation Max

110W Tc

Vgs Max

±20V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Uzunluk

10.668mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2001

ECCN Kodu

EAR99

Rds On Max Id Vgs

23m Ω @ 29A, 10V

Contact Plating

Tin

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Contains Lead, Lead Free

Element Configuration

Single

Rise Time

60ns

Transistor Application

SWITCHING

Gate Charge Qg Max Vgs

60nC @ 10V

Avalanche Energy Rating Eas

220 mJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Direnç

23mOhm

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn On Delay Time

12 ns

Montaj

Surface Mount

Genişlik

9.65mm

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

1360pF @ 25V

Seri

HEXFET®