IRFU9120NPBF

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

31 ns

Current Continuous Drain Id25

6.6A Tc

Fet Type

P-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

350pF @ 25V

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Seri

HEXFET®

Montaj

Through Hole

Nominal Vgs

-4 V

Genişlik

2.3876mm

Dual Supply Voltage

-100V

Direnç

480MOhm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

27nC @ 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

14 ns

Turn Off Delay Time

28 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

-100V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Continuous Drain Current Id

-6.6A

Number Of Elements

1

Case Connection

DRAIN

Drain Currentmax Abs Id

6.5A

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

-6.6A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Power Dissipation Max

40W Tc

Vgs Max

±20V

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yükseklik

6.22mm

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Drain To Source Voltage Vdss

100V