IRFU9024NPBF

Teknik Özellikler

Fet Type

P-Channel

Current Continuous Drain Id25

11A Tc

Fall Time Typ

37 ns

JESD-609 Kodu

e3

Seri

HEXFET®

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

350pF @ 25V

Dual Supply Voltage

-55V

Genişlik

2.3876mm

Nominal Vgs

-4 V

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

13 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Gate Charge Qg Max Vgs

19nC @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Avalanche Energy Rating Eas

62 mJ

Direnç

175mOhm

Turn Off Delay Time

23 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Drain To Source Breakdown Voltage

-55V

Number Of Elements

1

Continuous Drain Current Id

-11A

Pin Sayısı

3

Case Connection

DRAIN

Vgs Max

±20V

Power Dissipation Max

38W Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Akım Değeri

-1.6A

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Threshold Voltage

-4V

Parça Durumu

Active

Recovery Time

71 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Power Dissipation

38W