IRFU5505PBF

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

16 ns

Current Continuous Drain Id25

18A Tc

Fet Type

P-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

650pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Seri

HEXFET®

Montaj

Through Hole

Nominal Vgs

-4 V

Genişlik

2.3876mm

Dual Supply Voltage

-55V

Direnç

110Ohm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

32nC @ 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Turn On Delay Time

12 ns

Turn Off Delay Time

20 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

-55V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Continuous Drain Current Id

-18A

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Case Connection

DRAIN

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

-18A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Power Dissipation Max

57W Tc

Vgs Max

±20V

Threshold Voltage

-4V

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant