IRFSL4127PBF

Teknik Özellikler

Seri

HEXFET®

Radyasyon Dayanımı

No

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

5380pF @ 50V

Fet Type

N-Channel

Power Dissipation Max

375W Tc

Current Continuous Drain Id25

72A Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Fall Time Typ

22 ns

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

17 ns

Power Dissipation

375W

Gate Charge Qg Max Vgs

150nC @ 10V

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

9.652mm

Avalanche Energy Rating Eas

250 mJ

Direnç

22MOhm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Genişlik

4.826mm

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Montaj

Through Hole

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rds On Max Id Vgs

22m Ω @ 44A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

200V

Rise Time

18ns

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tube

Turn Off Delay Time

56 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Case Connection

DRAIN

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE