IRFSL38N20DPBF

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Threshold Voltage

5V

Reach Svhc

No SVHC

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Parça Durumu

Not For New Designs

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

9.65mm

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Drain To Source Voltage Vdss

200V

Power Dissipation

3.8W

Max Power Dissipation

300W

Ambalaj

Tube

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

95ns

Ds Breakdown Voltagemin

200V

Rds On Max Id Vgs

54m Ω @ 26A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Yayın Yılı

2004

Uzunluk

10.67mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

47 ns

Current Continuous Drain Id25

43A Tc

Fet Type

N-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

2900pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Seri

HEXFET®

Montaj

Through Hole

Genişlik

4.826mm

Avalanche Energy Rating Eas

460 mJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

91nC @ 10V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

16 ns