
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Drain To Source Resistance
- 14mOhm
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Yayın Yılı
- 2010
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 140nC @ 10V
- Power Dissipation
- 190W
- Current Continuous Drain Id25
- 73A Tc
- Seri
- HEXFET®
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- D2PAK
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 100V
- Drain To Source Voltage Vdss
- 100V
- Power Dissipation Max
- 190W Tc
- Fet Type
- N-Channel
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kılıf / Paket
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Uzunluk
- 10.668mm
- Genişlik
- 9.65mm
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 175°C
- Yükseklik
- 4.826mm
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 3550pF @ 50V
- Turn On Delay Time
- 18 ns
- Element Configuration
- Single
- Input Capacitance
- 3.55nF
- Vgsth Max Id
- 4V @ 100μA
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~175°C TJ
- Continuous Drain Current Id
- 73A
- Montaj
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 3
- Gate To Source Voltage Vgs
- 20V
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 10V
- Fall Time Typ
- 70 ns
- Vgs Max
- ±20V
- Turn Off Delay Time
- 53 ns
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Rise Time
- 87ns
- Rds On Max Id Vgs
- 14mOhm @ 44A, 10V
- Rds On Max
- 14 mΩ
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Stokta
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors

