IRFR5305TRRPBF

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

110W

Drainsource On Resistancemax

0.065Ohm

Drain To Source Breakdown Voltage

-55V

Seri

HEXFET®

Power Dissipation Max

110W Tc

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Genişlik

6.73mm

Turn On Delay Time

14 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

1200pF @ 25V

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Terminal Formu

GULL WING

Case Connection

DRAIN

Continuous Drain Current Id

-31A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Additional Feature

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

Vgs Max

±20V

Turn Off Delay Time

39 ns

Rds On Max Id Vgs

65m Ω @ 16A, 10V

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Jedec95 Code

TO-252AA

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Yayın Yılı

2004

Gate Charge Qg Max Vgs

63nC @ 10V

Current Continuous Drain Id25

31A Tc

Akım Değeri

-31A

Fet Type

P-Channel

Drain To Source Voltage Vdss

55V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Uzunluk

10.3886mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)