IRFP1405PBF

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

180nC @ 10V

Turn On Delay Time

12 ns

Uzunluk

15.87mm

Dual Supply Voltage

55V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Kılıf / Paket

TO-247-3

Direnç

5.3Ohm

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Turn Off Delay Time

140 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2003

Nominal Vgs

4 V

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tube

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Akım Değeri

95A

ECCN Kodu

EAR99

Rds On Max Id Vgs

5.3m Ω @ 95A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

55V

Jedec95 Code

TO-247AC

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

95A Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

4V

Power Dissipation

310W

Genişlik

5.3086mm

Seri

HEXFET®

Yükseklik

20.7mm

Continuous Drain Current Id

95A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Rise Time

160ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Power Dissipation Max

310W Tc