IRFL4315TRPBF

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Threshold Voltage

5V

Seri

HEXFET®

Power Dissipation

2.8W

Genişlik

3.7mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

2.6A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max Id Vgs

185m Ω @ 1.6A, 10V

Max Junction Temperature Tj

150°C

Drain To Source Breakdown Voltage

150V

Current Continuous Drain Id25

2.6A Ta

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

420pF @ 25V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Case Connection

DRAIN

Reach Svhc

No SVHC

Rise Time

21ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Continuous Drain Current Id

2.6A

Yükseklik

1.8mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Channels

1

Power Dissipation Max

2.8W Ta

Terminal Sayısı

4

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Voltage Rated Dc

150V

Element Configuration

Single

Fall Time Typ

19 ns

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Direnç

185Ohm

Jesd30 Code

R-PDSO-G4