IRFH8337TR2PBF

Teknik Özellikler

Seri

HEXFET®

Power Dissipation

3.2W

Genişlik

5mm

Drain To Source Resistance

12.8mOhm

Direnç

12.8MOhm

Threshold Voltage

1.8V

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Tedarikçi Cihaz Paketi

PQFN (5x6)

Rds On Max

12.8 mΩ

Current Continuous Drain Id25

12A Ta 35A Tc

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Rds On Max Id Vgs

12.8mOhm @ 16.2A, 10V

Vgsth Max Id

2.35V @ 25μA

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Uzunluk

5.85mm

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 10V

Turn On Delay Time

6.4 ns

Pin Sayısı

8

Recovery Time

18 ns

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

3.2W

Kurşunsuz

Lead Free

Reach Svhc

No SVHC

Parça Durumu

Obsolete

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Input Capacitance

790pF

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Input Capacitance Ciss Max Vds

790pF @ 10V

Fall Time Typ

4.1 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Yayın Yılı

2012

Montaj Tipi

Surface Mount

Nominal Vgs

1.8 V

Turn Off Delay Time

5.7 ns

Element Configuration

Single

Fet Type

N-Channel

Montaj

Surface Mount