Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation
- 3.6W
- Seri
- HEXFET®
- Kılıf / Paket
- 8-TQFN Exposed Pad
- Current Continuous Drain Id25
- 32A Ta 169A Tc
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 30V
- Rds On Max Id Vgs
- 2.1m Ω @ 20A, 10V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Vgsth Max Id
- 2.35V @ 100μA
- ECCN Kodu
- EAR99
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 66nC @ 10V
- Turn On Delay Time
- 21 ns
- Pin Sayısı
- 8
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Number Of Elements
- 1
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Parça Durumu
- Active
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 4.5V 10V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 4960pF @ 10V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2007
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fall Time Typ
- 12 ns
- Turn Off Delay Time
- 21 ns
- Configuration
- Single
- Gate To Source Voltage Vgs
- 20V
- Power Dissipation Max
- 3.6W Ta 96W Tc
- Fet Type
- N-Channel
- Montaj
- Surface Mount
- Vgs Max
- ±20V
- Continuous Drain Current Id
- 32A
- Rise Time
- 26ns
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors