IRFH5304TRPBF

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

22A Ta 79A Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Rds On Max Id Vgs

4.5m Ω @ 47A, 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Pin Sayısı

8

Genişlik

5mm

Power Dissipation

3.6W

Seri

HEXFET®

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

6.6 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Power Dissipation Max

3.6W Ta 46W Tc

Terminal Sayısı

5

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Surface Mount

Continuous Drain Current Id

79A

Yükseklik

838.2μm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rise Time

25ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Pulsed Drain Currentmax Idm

320A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Case Connection

DRAIN

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

2360pF @ 10V

Uzunluk

5.9944mm

Vgsth Max Id

2.35V @ 50μA

Gate Charge Qg Max Vgs

41nC @ 10V

Turn On Delay Time

13 ns

Direnç

4.5MOhm

Jesd30 Code

R-PDSO-N5

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Yayın Yılı

2009

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)